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三星半導體首次參加北京車展,“業界最快”LPDDR5X DRAM 等有望登場

2024/4/18 21:17:11 來源:IT之家 作者:清源 責編:清源
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IT之家 4 月 18 日消息,據三星半導體中文官網消息,三星電子半導體將于今年(nian) 4 月 25 日至 27 日期間首次參加(jia)北京車展

參展陣容方面,三星電子擬提供存儲器、系統 LSI、代工領域三大展區,展示用于高級駕駛輔助系統(ADAS)和車載信息娛樂(IVI)等的最新產品。據悉,三星(xing)電子有望(wang)展出支持 10.7Gbps 的 LPDDR5X DRAM、第七代圖形(xing)用雙(shuang)倍數(shu)據傳輸率(lv)存(cun)(cun)儲器(GDDR7)、AutoSSD(車載固態硬盤(pan))和 UFS 3.1 內存(cun)(cun)等產品。

IT之家(jia)匯總部分產品信息(xi)如下:

10.7Gbps LPDDR5X DRAM 內(nei)存:基于 12nm 級工藝技術,相(xiang)較(jiao)上(shang)代(dai)產品性能提(ti)高 25% 以(yi)上(shang),容(rong)量提(ti)高 30% 以(yi)上(shang)。該內存將移動 DRAM 的單封(feng)裝容量(liang)擴(kuo)充至 32GB,滿足端側 AI 應用對高性能大容量內存的需求。三星計劃在移動處理器廠商和終端設備廠商驗證后,于下半年啟動 10.7Gbps LPDDR5X DRAM 內存的量產(chan)

UFS 3.1 :將推出 128、256 、512 GB、1TB 等容(rong)(rong)量。在未(wei)來的汽車(電動(dong)汽車或(huo)自動(dong)駕駛汽車)應用中,增(zeng)強的產(chan)品陣(zhen)容(rong)(rong)能(neng)夠(gou)更有效地(di)管理電池(chi)壽命,UFS 3.1 的寫入速度(du)是(shi)上一代 UFS 的 3 倍(bei)。此驅動(dong)器(qi)的 1,200 MB/s速度(du)可(ke)增(zeng)強高性能(neng),有助(zhu)于防止下載文(wen)件時緩沖(chong)。(128 GB 為 850MB/s,256GB 和 512GB 為 1,200MB/s。)它(ta)還(huan)可(ke)用于其他需要(yao)快速、大規模存儲(chu)(如增(zeng)強現實(shi) / 虛擬現實(shi))的 5G 連(lian)接移動(dong)設備以及錄制設備。

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關鍵詞:三星半導體

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