IT之家 7 月 14 日(ri)(ri)消息，韓(han)媒(mei) ETNews 當(dang)地時間本(ben)月 9 日(ri)(ri)報道稱，SK 海力士為(wei)應對先(xian)進存儲器(qi)晶圓厚(hou)度的不斷(duan)降低，考慮(lv)導入飛秒激光(guang)等先(xian)進晶圓切(qie)割(ge)技術。

據悉(xi) SK 海力士目前使用的主要晶(jing)圓切(qie)割技(ji)術包括機械刀(dao)片切(qie)割（采用金剛石(shi)砂輪(lun)）、隱(yin)形切(qie)割（內部創造裂隙(xi)），但分別(bie)只能適(shi)應厚度在 100μm 及以上、50μm 左右的晶(jing)圓。

而先進(jin)存(cun)(cun)儲(chu)器的晶(jing)圓(yuan)厚度目前正(zheng)在進(jin)一(yi)步降低，尤其(qi)是在需要多層堆疊且(qie)堆棧總高有限的先進(jin) HBM 內存(cun)(cun)和(he)需要混合鍵合連接(jie)存(cun)(cun)儲(chu)單元與外(wai)圍電路(lu)的未(wei)來 400+ 層 NAND 中。

報道指出，SK 海力士正與激光設備合作伙伴共同探索新的晶圓切割設備聯合評估項目。該企(qi)業(ye)已(yi)與部分合作伙伴(ban)展開技(ji)術測(ce)試，探索多種可能的(de)技(ji)術路(lu)線，包括預開槽和直接完全利用激光分離等備選方案(an)。

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