IT之家 10 月 22 日消息，工商時報今天（10 月 22 日）發布博文，報道稱隨著技術節點進一步微縮 1.4 納米（A14）及 1 納米（A10），臺積電面臨新的制造瓶頸，該公司決定放棄采購單價高達 4 億美元（IT之家注：現匯率約合 28.37 億元人民幣）的 ASML 高數值孔徑（High-NA）EUV 光刻機。

理論上，采購荷蘭 ASML 公司尖端的高數值孔徑（High-NA）EUV 光刻機是解決該問題的直接方案。然而，最新報道指出，臺積電并未選擇采購，而是決定采用“光掩模護膜”技術作為替代方案，以推進其 2 納米等先進制程的研發與生產。

這(zhe)項決策的(de)核心考(kao)量在于(yu)成本。一(yi)臺(tai)高數值(zhi)孔徑 EUV 光刻機的(de)售價(jia)(jia)高達 4 億美元，是一(yi)筆巨大的(de)資本開支(zhi)。該媒體指出(chu)臺(tai)積電(dian)認為，該設備目前(qian)帶來的(de)價(jia)(jia)值(zhi)與其(qi)高昂的(de)價(jia)(jia)格(ge)并(bing)不匹配。

因此(ci)，公(gong)司選擇了(le)一條成本更低的路徑，即在(zai)現有標準 EUV 光刻機上，通(tong)過(guo)引入光掩(yan)(yan)模(mo)護(hu)膜(mo)，保護(hu)光掩(yan)(yan)模(mo)在(zai)光刻過(guo)程中免(mian)受灰塵(chen)等微粒污(wu)染，從而實(shi)現更精密的芯片制造。

盡管(guan)光掩模護膜方案能夠規避巨額的(de)設備采(cai)購費用，但它也帶來了(le)新的(de)技術挑戰。使用標準 EUV 光刻(ke)機生產 1.4 納米和 1 納米級別的(de)芯片(pian)，需要進行更多次(ci)曝(pu)光才能達到(dao)所需精度。

這(zhe)意味著光掩模的(de)(de)使(shi)用頻率會大(da)幅增加，不(bu)僅拖慢生產(chan)節奏，還可能對(dui)芯片(pian)良率構成潛在風險。臺積電需要通過大(da)量的(de)(de)“試(shi)錯”來優化生產(chan)的(de)(de)可靠性，這(zhe)無疑是一場技術(shu)上的(de)(de)攻堅(jian)戰。

臺(tai)(tai)積電拒(ju)絕采(cai)購高數(shu)值孔徑(jing) EUV 光刻(ke)機的(de)另一個原因，可能在于其(qi)供應量的(de)限制。據了(le)解，ASML 每(mei)年僅(jin)能生產五到(dao)六臺(tai)(tai)此類設備。對于需(xu)要(yao)采(cai)購多達 30 臺(tai)(tai)標準(zhun) EUV 光刻(ke)機以滿(man)足蘋(pin)果等大客(ke)戶龐大需(xu)求的(de)臺(tai)(tai)積電而言(yan)，將巨(ju)額資(zi)金(jin)投(tou)入(ru)到(dao)少數(shu)幾臺(tai)(tai)設備上，并不符合其(qi)長期產能規(gui)劃。

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