IT之家 11 月 4 日(ri)消息，SK 集團本(ben)年度(du)的(de)(de) AI 峰會(hui)正在韓國首(shou)爾舉行，在昨日(ri)的(de)(de)主題演講中，SK 海力士(shi)社長(chang)郭魯(lu)正公(gong)布了該企業的(de)(de)存(cun)儲路(lu)線(xian)圖：
在 2026~2028 年的近期，SK 海力(li)士將推出 16 層堆(dui)疊的 HBM4 內存，并從 HBM4E 開始供應定制化 HBM 解決方案；通用 DRAM 部分(fen)則將提供 LPDDR5R、標準(zhun)與集成(cheng)計算功能的 LPDDR6；至于 NAND 部分(fen)則將見到 PCIe Gen6 企(qi)業級與客(ke)戶端固態(tai)硬盤和 UFS 6.0 的誕生。
對于 2029~2031 年的中期，SK 海(hai)力士則將全面(mian)進入(ru) HBM5 (E) 世(shi)(shi)代；通用 DRAM 領域下(xia)一代 GDDR、DDR6 以及晶體管(guan)結構上發生重大變化(hua)的 3D DRAM 都(dou)將面(mian)世(shi)(shi)；至于 NAND 部分，400+ 層堆疊 NAND、PCIe Gen7 SSD、UFS 6.0 都(dou)將到來(lai)。
在 SK 海(hai)力士的(de)(de)設想中，定制(zhi)(zhi) HBM 的(de)(de)一(yi)大(da)變(bian)化是(shi)將協議及其它、控制(zhi)(zhi)器(qi)等部(bu)分從 XPU 芯片移(yi)至(zhi) HBM 的(de)(de)基礎裸片 (Base Die) 中，為計算單元挪出更多(duo)空間，并降低數據接口方面的(de)(de)能耗。
SK 海力士為 AI 時代的(de) DRAM 內存(cun)(cun)劃出(chu)了(le)三大發(fa)展方向：以低功耗高性能降低 TCO 的(de) AI-D O、集成計算能力跨越內存(cun)(cun)墻的(de) AI-D B、擴展應用領域的(de) AI-D E。
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