IT之家 11 月 10 日消息，據韓國“電子新聞”今日報道，高帶寬內存（HBM）的發展，正在推動存儲大廠 SK 海力士攻克新的性能瓶頸 —— 研發高帶寬存儲（HBS）。這項新技術有望讓未來的智能手機和平板電腦具備更強大的 AI 算力。

SK 海力士計劃采用一種名(ming)為(wei)垂(chui)直導線扇出（VFO）的封裝工藝，將最多 16 層(ceng) DRAM 與(yu) NAND 芯片垂(chui)直堆(dui)疊，從而顯著提升數據處理速度。

IT之家從報道中獲悉，VFO 封裝是 HBS 能否成功的關鍵。SK 海力士早在 2023 年就首次(ci)展示(shi)這項技術，之后隨(sui)著生(sheng)成式 AI 普及，HBS 正(zheng)逐漸進入智能手機和平板電腦。

直線連接堆疊的 DRAM 和 NAND 芯片，VFO 取代了傳統的彎曲導線連接方式，既縮短了布線距離，又減少信號損耗與延遲，并能支持更多 I/O 通道，使整體數據處理性能大幅提升。

未(wei)來(lai) HBS 將與手(shou)機芯片組一起(qi)封裝，再安(an)裝到設備主板上(shang)。外(wai)界普遍認為，驍龍 8 至尊版 Gen 6 Pro 具(ju)備同時兼容(rong) LPDDR6 與 UFS 5.0 的能力(li)，因此被視為 HBS 的潛在(zai)首發平臺。

與 HBM 相比，HBS 無需采用硅通孔（TSV）工藝，意(yi)味著芯片制(zhi)造不必穿孔，成(cheng)本更(geng)低、良率更(geng)高(gao)。對于希望在(zai)設備中(zhong)采用這種(zhong)新型(xing)存(cun)儲(chu)方案(an)的(de)廠(chang)商而言(yan)，這無(wu)疑(yi)是一大利好。

據悉，蘋果正計劃在未來的設備中使用 HBM 和 TSV，讓 能夠在本地運行更復雜的 AI 模型，因此蘋果開始研究 HBS 也在情理(li)之中。

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