IT之家 11 月 17 日消息，三星力(li)求在 2 納米時代重振其晶圓代工業務，目前(qian)看來已步入正軌。該公司(si)近日公布(bu)了其下(xia)一代制程工藝(yi)的首批量(liang)產成果(guo)，顯示出(chu)相較前(qian)代工藝(yi)顯著的性(xing)能提升(sheng)。即(ji)將搭(da)載于 Galaxy S26 的 Exynos 2600 芯片(pian)即(ji)采用該工藝(yi)制造(zao)。此外，據稱三星已成功為這一先進制造(zao)技術爭(zheng)取(qu)到其他芯片(pian)客戶。

據 Dailian 報道，三星在其第三季度財報中披露，其第一代 2 納米全環繞柵極（Gate-All-Around, GAA）制程相較于第二代 3 納米技術有了顯著提升：性能提升 5%，能效提升 8%；芯片面積更縮減了 5%，表現頗為亮眼。

近年來，三星晶圓代工部門持續面臨行業龍頭、同時也是主要競爭對手臺積電（TSMC）的激烈競爭。根據 2025 年第二季度數據，臺積電在全球晶圓代工市場所占份額已超 70%。不過，行業分(fen)析人士普遍認為，向(xiang) 2 納米技術的過渡有望(wang)為三星縮(suo)小(xiao)與(yu)臺積電的差距創造(zao)契機。

據(ju)IT之家(jia)了(le)解，三星與臺(tai)積電均在(zai) 2 納米節點采用 GAA 架構，但兩者技術路徑(jing)存在(zai)差異：臺(tai)積電系首(shou)次在(zai) 2 納米節點引入 GAA，而三星早在(zai)其上一(yi)(yi)代 3 納米制程中已率先(xian)應用該架構。這(zhe)意味著三星在(zai) GAA 技術上已積累了(le)一(yi)(yi)代量產經驗，或具(ju)備一(yi)(yi)定先(xian)發優勢。其實際(ji)競(jing)爭力如何，尚(shang)待搭載 Exynos 2600 芯片的 Galaxy S26 手機正式上市(shi)(shi)并接(jie)受市(shi)(shi)場檢驗后方(fang)能揭曉。

關鍵仍然在于良率，通常認為 60% 以上的良率適合量產。臺積電在 2 納米工藝上實現了約 80% 的良率，被認為已進入穩定量產階段。據悉，三星電子已將良率提升至 50%~60% 的水平。

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