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我國最大規模:長飛先進武漢基地首批碳化硅晶圓投產

2025/5/29 13:02:34 來源:IT之家 作者:故淵 責編:故淵

IT之家 5 月 29 日消息,“湖北發布”官方公眾號今天(5 月 29 日)發布博文,報道稱長飛先進武漢基地首批碳化硅晶圓已正式投產,這是目前國內規模最大的碳化硅半導體基地,可貢獻國產碳化硅晶圓產能的 30%,有望破解我國新能源產業缺芯困局。

IT之家援引(yin)博文(wen)介紹,碳(tan)化硅是(shi)新一代信息技術(shu)(shu)的基礎材料,被(bei)稱(cheng)為新能源時代的“技術(shu)(shu)心臟”,是(shi)全(quan)球爭相搶占的科技制(zhi)高(gao)點。

作為武漢(han)東湖科學城首個落地(di)的百(bai)億級半導體項(xiang)目(mu),長飛先進基地(di)從(cong)一片(pian)荒地(di)起步(bu),10 個月(yue)封頂、18 個月(yue)量產,吸引超 20 家配套企業落戶,覆(fu)蓋設備、材料、封測的第(di)三代半導體全(quan)產業鏈,形成了(le)國內首個碳(tan)化硅(gui)全(quan)產業鏈集群。

長飛先(xian)進武(wu)漢基(ji)地(di)總投資超 200 億元,一期項目聚焦(jiao)第三(san)代(dai)半導體功率(lv)器件(jian)研(yan)發與生產,可(ke)年產 36 萬片 6 英寸碳(tan)化硅(gui)晶(jing)圓(yuan),產能(neng)(neng)躋身全球前列(lie),達產后可(ke)滿(man)足 144 萬輛新能(neng)(neng)源汽車的制造需求,推動我國第三(san)代(dai)半導體實現從“跟跑”到“并跑”的關鍵跨(kua)越。

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關鍵詞:碳化硅半導體晶圓

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