IT之家 11 月 14 日消息，TrendForce 集邦咨询昨日表示，根据该机构的调查，存储产业 2026 年资本支出整体来看仍显保守，这意味着明年 DRAM 和 NAND 的比特（容量）产出提升受到的支持有限，供小于求的局面不会发生决定性变化。

尤其(qi)是在(zai) DRAM 内(nei)存(cun)领域，虽然(ran)三星(xing)(xing)电(dian)子和 SK 海力(li)士仍有小幅扩大(da)(da)产线的(de)机会，但美光想要扩产必须(xu)要等到其(qi)美国爱达荷州博伊西(xi) ID1 新晶圆(yuan)厂落(luo)成。而在(zai) NAND 端，铠(kai)侠-闪迪、美光均将大(da)(da)力(li)投资，但三星(xing)(xing)电(dian)子和 SK 系则(ze)会按兵(bing)不动(dong)。

机构预计，2026 年 DRAM 产业资(zi)本支出有望同比增长 14% 到 613 亿(yi)美元(yuan)(yuan)（IT之家(jia)注：现汇(hui)率约(yue)合(he) 4352.55 亿(yi)元(yuan)(yuan)人民(min)币）；NAND 产业资(zi)本支出则有望在明年增长 5% 到 222 亿(yi)美元(yuan)(yuan)（现汇(hui)率约(yue)合(he) 1576.29 亿(yi)元(yuan)(yuan)人民(min)币）。

整体来看，几大存储原厂的投资重心正逐渐转变，从单纯地扩充产能转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合，聚焦 HBM 等高附加价值产品。

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